Сила ІГБТ

IGBT транзистор FGA25N120 1200 в 313 Вт

транзистор FGA25N120 використовує функцію NPT, яка пропонує дуже щільний розподіл параметрів, високу силу, стабільну температуру та можливість паралельного перетворення.

:

заплановано до призначеного, інвертора,

напруга колектора емітера: 1200 в

струм колектора постійного струму: 46 в (25 ℃), 25 в (100℃)

захист від короткого замикання: 10μs

розсіювання: 313 Вт (25℃)

упаковка: до-247ac

довжина хвостовика: 08 дюймів

загальний розмір (L XX глибина): 16x06x02 дюймів

містить:

1x fga25n120 транзистор